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haadf前沿信息_haadf-stem什么电镜(2024年11月实时热点)

内容来源：兔子在线电影所属栏目：教程更新日期：2024-11-27

haadf

透射电镜（TEM测试）全解析透射电镜（TEM测试）是一种强大的材料分析工具，能够提供多种观察和测量手段。以下是它的主要功能：普通形貌观察：直接观察材料的微观形貌。 HRTEM（高分辨率透射电镜）：提供高分辨率的图像，揭示材料的晶体结构。 EDS点/线/面（Mapping）：进行元素分布分析，生成元素映射图像。选区衍射：通过选区衍射分析，研究材料的晶体结构和缺陷。 STEM/HAADF：利用扫描透射电镜和高角度环形暗场成像，提供更详细的材料信息。这些功能使得透射电镜成为材料科学、纳米技术、电子工程等领域的重要研究工具。

tem图像透射电镜（TEM）测试，真的是探索微观世界的一大利器！它不仅能让你看到普通形貌，还能通过高分辨率透射电镜（HRTEM）看到更细致的结构。更酷的是，它还能进行能量散射谱（EDS）分析，无论是点、线还是面（Mapping），都能轻松搞定。选区衍射和STEM/HAADF成像也是它的拿手好戏。简单来说，TEM测试可以帮你看到那些肉眼看不到的东西，给你一个全新的视角来理解材料的世界。无论是科研还是工业应用，TEM都是不可或缺的强大工具。𐟌Ÿ

透射电子显微镜（TEM）全解析 𐟔 透射电子显微镜（TEM）是一种强大的科研工具，用于观察和分析材料内部的微观结构。以下是关于TEM的详细解析： 1️⃣ 仪器型号：日本电子/JEOL JEM-2100 日本电子/JEOL JEM-F200 日本日立/HITACHI HT7800 (120kV) 美国赛默飞 FEI TF20 2️⃣ 原理与应用： TEM利用聚焦电子束投射到非常薄的样品上，通过透射或衍射电子束形成的图像来分析样品内部的微观组织结构。 3️⃣ 测试项目：表面形貌 EDS能谱：点扫、线扫、面扫/Mapping HAADF(STEM) 衍射 4️⃣ 样品要求：样品状态：粉末、块状/薄膜、液体样品均可测试。块状/薄膜样品不能直接拍摄，需另行制样（如离子减薄、包埋切片、FIB等），样品厚度不超过100nm。一般制样选普通铜网或微栅铜网，颗粒直径<10nm选超薄碳膜。若含Cu，拍摄EDS能谱和Mapping可选镍网或钼网等。常用溶剂为乙醇，其次是水（易挥发且不会在碳膜上留下痕迹），其他溶剂请自备（如甲苯、丙酮等较易在碳膜上留下印迹）。超声一般默认是5min。 5️⃣ 注意事项：安全性：无毒、无放射性。是否含有有机物：有机物在高压下不稳定，拍摄过程中极易被打散，样品被打散的同时会污染到仪器。如需拍摄，请务必与测试老师确认。带有机物的样品，无法拍摄Mapping。磁性：磁性颗粒易吸附到极靴上，原则上电镜不拍磁性样品。但不同设备、测试老师不同的样品处理经验下，对所拍样品中磁性强弱的接受度不同。磁性样品包括含铁、钴、镍、锰等磁性元素的材料。注意，磁性分硬磁和软磁，有些材料对外不表现磁性，但加磁场后容易磁化，受热后磁性增强也需要定义为磁性样品。强磁：吸铁石能吸起来的样品。弱磁：吸铁石吸不起来但按前述定义为磁性的样品。 6️⃣ 结果展示： TEM图像展示了样品的微观结构，通过这些图像可以分析材料的性质和变化。通过以上信息，您可以更好地了解透射电子显微镜的应用和操作注意事项，从而更好地利用这一强大的科研工具。

透射电镜制样指南：从样品到观察嘿，大家好！今天我们来聊聊透射电镜（TEM）制样的那些事儿。透射电镜可是个宝贝，能帮你看到材料内部的秘密，像普通形貌、HRTEM、EDS点/线/Mapping、选区衍射、STEM/HAADF等等，简直无所不能。不过，要想从透射电镜里看到漂亮的图像，样品的准备可是关键。样品要求 𐟓 首先，样品的状态有很多种，粉末、块状、薄膜、液体都可以测试。但要注意，块状和薄膜样品不能直接拍摄，需要经过一些处理，比如离子减薄、包埋切片、FIB等，让样品的厚度不超过100nm。一般来说，普通铜网或微栅铜网就足够了，如果颗粒直径小于10nm，那就得用超薄碳膜了。如果样品中含有Cu元素，还需要拍摄EDS能谱和Mapping，这时候可以选择镍网或钼网。溶剂选择 𐟒犥𘸧”觚„溶剂是乙醇，其次是水。乙醇容易挥发，而且不会在碳膜上留下痕迹。其他溶剂可能会在碳膜上留下印迹，所以大家可以根据自己的需求选择。超声时间一般默认是5分钟。仪器型号 𐟔슥𘂩⤸Š有很多型号的透射电镜，比如日本的JEOLJEM-2100 COOl和日立的HTACHIHT7800(120kV)。不同的仪器有不同的特点和适用范围，大家可以根据自己的需求选择合适的型号。其他测试方法 𐟔犩™䤺†透射电镜，还有很多其他测试方法可以帮你更好地了解材料的性质。比如电感耦合等离子体ICPOES/MS、有机元素分析EA、场发射电子扫描电镜SEM、CNS元素分析仪、电子背散射衍射EBSD、氨基酸分析仪、能量色散X射线光谱EDX、X-射线荧光光谱XRF、电子能量损失谱EELS、离子色谱IC等等。物性分析 𐟓Š 如果你对材料的物理性质感兴趣，还可以进行热学性能测试，比如氩离子抛光、热重分析TG-DTG、球差透射电镜AC-TEM、差示扫描量热仪DSC、原子力显微镜AFM等。声光电磁方面的测试也有不少选择，比如电子自旋共振波谱ESR/EPR、振动样品磁强计VSM、液体/固体核磁共振NMR/SSNMR、荧光类测试、霍尔效应测试Hall等。结语 𐟎“ 总之，透射电镜制样是一门技术活，但只要你掌握了这些基本知识，就能轻松上手。希望这篇文章能帮到你，让你在透射电镜的世界里畅游无阻！如果你有任何问题或想法，欢迎在评论区留言哦！

磷化铟（InP）纳米脊线内的InGaAs脊量子阱生成机制 ? 前言：镓锗砷化铟（InGaAs）脊量子阱是一种精妙无比的纳米结构，它具有很强的光电子学和量子光学应用潜力，在光电子集成领域中，纳米结构的引入不仅可以调控材料的光学特性和载流子输运过程，还可以在光子和电子限域效应下实现独特的量子行为，为实现高度可调控的光电子学器件提供了助力。 ? 在下面的研究中，我们将对磷化铟（InP）纳米脊线内的InGaAs脊量子阱的生成、结构和光学特性进行深入研究，实验数据将由能量色散光谱和电子显微镜技术的综合应用表征。 ? 实验的开始，先嵌入Si衬底上InP纳米脊内的InGaAs量子结构的生成机制，目的是在Si衬底上搭建多个相同的 InGaAs 量子结构，并利用原子平滑再生成模板的缺陷捕获能力扫除缺陷。 ? 这次研究中使用的Si衬底具有较厚的氧化物间隔物（范围从300 nm到600 nm），沟槽开口约为450 nm，相邻沟槽之间的间距约为550 nm。 ? 生成过程遵循InGaAs量子结构的机制，但添加了延长的第二个HT-InP 缓冲区，以促进不同 InGaAs 量子结构的形成，主要区别在于，InGaAs 量子结构是在 InP 与 SiO2 间隔物接触后形成的，并呈现自限制形状。 ? 图1a显示了生成样品的俯视SEM图像，显示了大面积的均匀InP纳米脊阵列，图1b中放大的70度倾斜SEM图像显示了刻面生成，根据微观图像显示，InP 纳米脊在Si衬底上形成良好且排列整齐。 ? 接下来，我们先使用横截面透射电子显微镜 (TEM) 来检查V形槽在Si基板上的InGaAs量子结构，然后再使用高角度环形暗场扫描透射电子显微镜(HAADF-STEM)进行分析。 ? 图2a显示了V形槽Si上典型InP纳米脊的HAADF-STEM图像，并且可以在InP纳米脊的上部清楚地识别出堆叠的InGaAs量子阱结构，在该特定结构中，每个QWR的生成时间为15秒。 ? 图2c是前三个QWR（量子线）的放大HAADF-STEM图像，显示出宽度为30 nm、高度为20 nm的三角形。 ? 除此以外，我们沿着纳米脊还发现了厚度为3 nm的InGaAs量子阱（图2b），这些量子阱具有均匀的厚度并表现出尖锐的InGaAs/InP界面。 ? 根据我们的观察，与其他前三个QWR相比，第一个QWR具有更大的尺寸，这可能是由于 InGaAs 层制备过程中的生成中断造成的。 ? 通过消除生成中断，如图3a所示，可以获得均匀的InGaAs量子结构，然而，脊QW的存在被一些科研人员认为对高效反应来说是负面的，因为它们更容易受到从III-V/Si界面传播的缺陷的影响，因此，消除脊QW以增强量子限制,并最大限度地减少载流子从QWR逃逸到脊QW至关重要。 ? 为了将InGaAs量子线结构与QW解耦并实现更好的量子限制，研究人员缩短了InGaAs层的生成时间，图3a显示了四个堆叠式InGaAsQWR的横截面TEM图像，生成时间缩短为2秒，与15秒生成的QWR相比，较短生成时间有效抑制了脊状QW的形成。 ? 放大图3b中的QWR，可以看到与生成时间较长的QWR类似的线结构，这表明生成时间的减少不会显著影响整体线结构。 ? 随着进一步的缩短生成时间，我们将其缩短至1秒，然后降至0.5秒，导致QWR的垂直尺寸从 20 nm 缩小至 7 nm，然后再缩小至 2 nm，从图3c和图3d中放大的TEM图像可以明显看出这一信息。 ? 最后我们对其中一种 InGaAs 量子线 (QWR) 结构进行能量色散光谱 (EDS) 线扫描分析，以研究其沿垂直方向的化学成分，用于EDS测量的扫描线如图2c所示。 ? 图4所示的扫描结果表明，沿QWR的垂直方向，铟（In）和镓（Ga）的成分均表现出不均匀性，具体来说，铟成分从QWR的底部到顶部单调减少，而镓成分则显示出相反的趋势。 ? 结论：通过实验，我们观察到了在Si衬底上的InGaAs量子阱结构具有尖锐的InGaAs/InP界面，并且得知，通过消除脊状量子阱，可以实现更好的量子限制，最大限度地减少了载流子从量子线结构逃逸到脊状量子阱的现象。 ? 我们还发现通过控制InGaAs层的生成时间可以调节量子线结构的尺寸，进而实现电信频段发射波长的可调性，最后，通过EDS线扫描分析显示，在量子线结构的垂直方向，铟（In）和镓（Ga）的成分表现出了不均匀性，这将为进一步研究提供更多的信息。 ? 总结来讲，这次研究对InP纳米脊线内的InGaAs脊量子阱的生成机制、结构和光学特性进行了深入研究，为光电子学和量子光学应用提供了重要的理论支持，这些结果对于新型光电子学器件的开发具有战略意义。

台式扫描电子显微镜 𐟔좜襏𐥼扫描电子显微镜的出现，真的是科研工作者们的福音！这种显微镜不仅体积小巧，还能提供超高分辨率的图像，简直是微观世界的“放大镜”！今天，我就来和大家聊聊台式扫描电子显微镜的基本原理、应用以及样品制备和检测的注意事项。 𐟧찟”台式扫描电子显微镜的基本原理台式扫描电子显微镜（SEM）通过电子束作为探针，利用电子源、电子透镜系统、样品台、扫描线圈和检测系统，实现对样品表面微观结构的高分辨率成像。电子源（热阴极或场发射阴极）发射电子束，这些电子束通过电子透镜系统聚焦并导向。样品台则用于放置待观察的样品，并可沿XY方向微动，确保电子束能精确扫描样品表面。电子束在样品表面扫描时会产生多种信号，例如二次电子信号（SE）、反射电子信号（BSE）和特征X射线等。接收器和检测系统会收集这些信号，并将其转换成图像，供我们分析和观察。通过这种方式，SEM能够提供极高分辨率的图像，让我们深入了解样品的微观结构。 𐟔찟“𘩫˜分辨成像技术的应用台式扫描电子显微镜的高分辨成像技术真的超厉害！它能观察到纳米级别的样品细节，大大提高图像的衬度。比如在材料科学、纳米技术、生物科学和电子工程等领域，SEM的应用非常广泛。无论是快速获得高分辨率的BF像、DF像还是HAADF像，台式扫描电镜都能轻松搞定，而且还支持用户自定义成像，简直是科研神器！我曾经用SEM观察过一些纳米材料，真的能够清晰地看到每一个细微的结构，感觉自己像是进入了一个全新的微观世界。这样的高分辨成像技术，不仅让我们能够深入研究材料的微观结构，还能帮助我们更好地理解和改进这些材料的性能。 𐟧ꢚ—️样品制备与检测注意事项样品制备是确保成像质量的关键。不同样品有不同的制备方法，比如粉末样品可以直接用导电胶粘在样品台上，液体样品则需要超声后悬浊液滴一滴于导电胶上自然风干。块体或薄膜样品可能需要剪裁或液氮脆断才能显现其截面。在检测过程中，要注意形貌、能谱点扫、线扫和面扫的具体要求。通常，形貌检测每个样品会提供8张左右的照片，而能谱点扫、线扫和面扫则各自有不同的测试点位。为了确保数据准确，测试周期一般为3-5个工作日，如果需要加急处理，当天也能完成。为了让样品在SEM下展现最佳状态，导电处理是必不可少的。比如给陶瓷或生物样品喷上金属或碳膜，可以防止电荷积累导致的图像失真。对于那些易挥发的样品，使用低束流密度或环境扫描电镜技术也是很好的选择。 SEM的世界真是充满了奇妙和挑战，每次看到那些微观世界的景象，都会感叹科技的进步和科学家的智慧。如果你也有使用SEM的经验或问题，欢迎在评论区和我分享哦！一起交流，让我们更好地探索这微观世界的奥秘！𐟔좜耀

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