7nm最新娱乐体验_国产芯片14nm迎来突破(2024年12月深度解析)
台积电断供中企7nm后,奇怪现象出现了!2
华为7nm芯片性能逆天?竟超越5nm!国家知识产权局今日公布的华为专利技术,通过独特的裸片间数据传输和解析方法,大幅提升了芯片通信效率。 核心在于其高低电平数据传输和解析的突破,使得7nm芯片的通信传输速率超越了5nm,甚至可媲美3nm!这意味着未来麒麟芯片即使采用7nm制程,也能拥有惊人的数据传输速度。 这项技术或将彻底改变芯片数据传输的格局,7nm芯片超越5nm性能,堪称里程碑式创新。
你做你的3nm,我做我的7nm,但是有时候我的7nm整体体验下来可能会大于等于你的3nm!
不是7nm,不是4nm,也不是3nm,麒麟9020却能做苹果A18Pro那样流畅丝滑,你说气不气人! 之前国外机构拆解麒麟9000s的时候,说这是等效7nm芯片,这说明新一代的麒麟9010生产工艺技术肯定比7nm更好一些。问题是现在华为已经有麒麟9020,这是几纳米芯片无人得知,因为华为根本就没说,但通过跑分测试可以确定这不是4nm,也不是3nm,因为mate70pro+的跑分成绩是124万左右,略低于骁龙8+和联发科天玑9200,而这两款芯片均是台积电4nm工艺,说明麒麟9020没有达到4nm级别,更别说3nm了,如果真是3nm,那么余承东在发布会上的时候一定会介绍。 通过跑分数据,基本可以确定麒麟9020是等效5nm,虽然和3nm的苹果A18pro还有一定差距,但大家知道,虽然华为手机跑分比友商低很多,但流畅度丝毫不弱。通过我这几天在实体店体验mate70系列的感受来看,不要说是pro版本,就连麒麟9010版本的mate70流畅度和手里的iphone16pro一模一样,根本看不出什么差别,就只有相机拍照落后一些,但标准版的价格摆在这里,而七八千的PRO系列相机拍照确实没有比苹果差。现在采用等效5nm芯片的mate70系列流畅度和友商3nm芯片手机相当,说明华为的优化能力基本无敌了。
中美芯片竞争基本定了。中国芯片进展没想的那么快,尤其是中芯国际,技术差得很。2020年中芯连7nm都做不出来,台积电早就量产5nm了 14nm芯片才是关键?中国芯片突围之路详解 这文章说的有点意思啊,感觉是内行人。中美芯片竞争这块,现在是拼工艺,但不是一味求小。1nm听起来高大上,但实际意义不大,成本高不说,还容易出问题。7nm才是我们应该重点突破的,14nm要是能把良品率和成本控制住,那就稳了!说白了,芯片这东西,够用就行,稳定可靠最重要,别整那些花里胡哨的。 最近芯片话题很热,从1nm到14nm,各种说法满天飞。我个人认为,很多讨论都偏离了重点。大家似乎被1nm这样的噱头迷花了眼,而忽略了更关键的问题。 先说说这个1nm,听起来很厉害,但实际上呢?硅原子直径才0.23nm,1nm能塞几个原子?做到这个程度,已经逼近物理极限了,量子隧穿效应都会影响芯片的性能和稳定性。与其追求这种极致的工艺,不如把精力放在更实际的地方。 7nm和14nm才是我们需要关注的重点。7nm是我们追赶的目标,如果能实现量产,就能在竞争中占据更有利的位置。而14nm更关键,如果能把良品率和成本控制好,就能在市场上站稳脚跟,这才是打赢这场“芯片战”的基础。 说白了,芯片这东西,够用就行,关键是稳定可靠,成本也要控制住。一味追求更小的纳米数字,只会增加成本和技术难度,对普通用户来说,实际体验的提升并不明显。与其追求那些花里胡哨的东西,不如把基础打好。 未来的科技发展,需要的是更大计算量、更多电路的芯片,而不是一味追求小。与其纠结于1nm的噱头,不如踏踏实实做好7nm和14nm,这才是中国芯片的突围之路。 对于此事,您怎么看?欢迎在评论区讨论。#热点引擎计划# #我要上热门# #动态连更挑战#
中美芯片竞争基本定了。中国芯片进展没想的那么快,尤其是中芯国际,技术差得很。2020年中芯连7nm都做不出来,台积电早就量产5nm了 14nm芯片才是关键?中国芯片突围之路详解 这文章说的有点意思啊,感觉是内行人。中美芯片竞争这块,现在是拼工艺,但不是一味求小。1nm听起来高大上,但实际意义不大,成本高不说,还容易出问题。7nm才是我们应该重点突破的,14nm要是能把良品率和成本控制住,那就稳了!说白了,芯片这东西,够用就行,稳定可靠最重要,别整那些花里胡哨的。 最近芯片话题很热,从1nm到14nm,各种说法满天飞。我个人认为,很多讨论都偏离了重点。大家似乎被1nm这样的噱头迷花了眼,而忽略了更关键的问题。 先说说这个1nm,听起来很厉害,但实际上呢?硅原子直径才0.23nm,1nm能塞几个原子?做到这个程度,已经逼近物理极限了,量子隧穿效应都会影响芯片的性能和稳定性。与其追求这种极致的工艺,不如把精力放在更实际的地方。 7nm和14nm才是我们需要关注的重点。7nm是我们追赶的目标,如果能实现量产,就能在竞争中占据更有利的位置。而14nm更关键,如果能把良品率和成本控制好,就能在市场上站稳脚跟,这才是打赢这场“芯片战”的基础。 说白了,芯片这东西,够用就行,关键是稳定可靠,成本也要控制住。一味追求更小的纳米数字,只会增加成本和技术难度,对普通用户来说,实际体验的提升并不明显。与其追求那些花里胡哨的东西,不如把基础打好。 未来的科技发展,需要的是更大计算量、更多电路的芯片,而不是一味追求小。与其纠结于1nm的噱头,不如踏踏实实做好7nm和14nm,这才是中国芯片的突围之路。 对于此事,您怎么看?欢迎在评论区讨论。
近期,台积电与三星相继断供7nm及以下制程的AI芯片代工。此次制裁略有异常,以前是美国BIS出台禁令,相关国际企业执行。而此次美国政府尚未发表禁令,相关企业已经落地执行。制裁细节如下: 一,境外产能暂停部分中国大陆AI/GPU客户的7nm及以下代工业务,若触发以下一个条件,即受限制:1,芯片面积在300mmⲥ以上;2,使用了HBM或CoWoS工艺;3,晶体管数大于300亿个。 二,此次设限主要是为了严格审核AI芯片,但波及面很广,涉及到很多模糊地带。目前大部分云计算和汽车智驾芯片等不受限制。 三,大部分长期合作的白名单客户被审核后继续合作,而“面生”甚至“存疑”的客户会被直接拒绝。 四,预估拜登离任之前还会出台一次新的制裁政策。拜登政府是“画线”以及“点射”,在其卸任之前,将会有一大批涉及到先进工艺的中国公司(封装、设备、设计等)被纳入制裁名单。这个名单可能在接下来的两个月内出台。为应对即将到来的冲击,从现在起就要做好7nm断供预案,中国大陆攻坚7nm工艺迫在眉睫。 攻坚7nm需要最高效的体系,国家要集中精力支持相关企业全力攻坚关键设备与关键工艺,对相关企业的关注点也要聚焦到7nm的国产化上。 7nm攻坚离不开新型举国体制,举国体制是一个复杂的管理科学:需要来自不同专业、不同领域的人才;需要政产学研用等不同机构和企业的广泛参与。更需要统一高效、责任清晰、一龙治水、虚怀若谷的科学管理。 全球半导体产业格局正在发生剧变,主战场正在向尖端转移。应对挑战的关键是向上而行,错位竞争,着眼未来,分工协作。简单来说就是国家支持的国家队着眼未来,进军高精尖;地方政府支持的正规军挖掘潜能,进军特色工艺;市场化的生力军活在当下,提高营收。 冲锋的指挥棒和考核的军令状要保证这些受到重点扶持的企业不能沉浸于浅水区的竞争,满足于山脚下的胜利,更不能让它们拿着补贴在舒适圈里降维打击。要做到市场的未来在哪里,指挥棒就指向哪里,企业的军令状就立到哪里。
中美芯片制造的竞争这么快就结束了,耗时5年。 2020年,中芯国际7nm难产,台积电5nm满街跑; 2021年,中芯国际原地踏步,台积电二代5nm笑开花; 2022年,中芯国际还是7nm梦,台积电4nm已称霸。 但2023年,中芯国际终于爆发,等效7nm横空出世,虽然和台积电有差距,但也是质的飞跃。台积电也不甘示弱,二代4nm继续领跑。 到了2024年,华为Pura70一出,芯片工艺直逼麒麟9000s,粉丝欢呼雀跃。台积电3nm苹果A18、天玑9400、骁龙8至尊版,接连轰炸市场。 华为mate70也要来了,博主爆料等效5nm工艺。别看数字小,性能可不弱,华为设计架构牛,mate70体验直追3nm! 这事儿你怎么看?华为芯片制造追上来了,还是路还长?#我的旅行纪事# #我要上热门#
中美芯片制造的竞争这么快就结束了,耗时5年。 2020年,中芯国际生产不出7nm芯片, 2020年,台积电大规模生产5nm芯片, 2021年,中芯国际生产不出7nm芯片, 2021年,台积电生产第二代5nm芯片, 2022年,中芯国际生产不出7nm芯片, 2022年,台积电大规模生产4nm芯片, 2023年,中芯国际生产出等效7nm芯片, 2023年,台积电生产第二代4nm芯片, 到了2024年上半年,华为发布Pura70系列,国外结构拆解芯片分析,得出的结论是生产工艺和mate60上面那颗麒麟9000s相差不大,可以说是升级版。到了9月份,台积电大规模生产3nm的苹果A18系列芯片,现在又大规模生产天玑9400和骁龙8至尊版,也是3nm。接下来就该华为mate70登场了,有博主说该芯片采用等效5nm工艺技术。5nm也是高端了,在性能上应该不会比3nm差多少,就好比A18,还打不赢上一代4nm的A17pro呢,关键得看芯片公司如何设计,我觉得华为有能力通过各种设计和架构,让mate70用起来媲美搭载3nm芯片的手机。
晚上和一个做IC的大佬聊了好久,就是关于TSMC那个新的规定的事,有很多有意思的messages。其实这个可能和我们大多数理解的都不太一样,因为7nm是有前置条件的,主要是Die Size超过300平方毫米且采用7纳米及以下工艺的芯片,7nm制程的化大概每平方毫米1亿个晶体管,说白了,你如果7nm工艺的话,就不能超过300平方毫米的Die,这玩意是对什么限制的呢?我来举个例子A100,是820平方毫米,它有540亿晶体管,其实不难看出这个主要想限的是产品,阿里的倚天710(5nm)、百度的昆仑芯2代(7nm),这些肯定是不能在TSMC流片了,听说国内某一线厂也在跟博通合作开发AI chip,然后去Intel流片,但是矢口否认了。其实比起算力来讲,可能得更关注HBM的问题,HBM现在全球就3年SK海力士,三星,美光。美光就不给咱这边发,最好的SK海力士所以产量全给NV,所以可能性就只能在三星了,然而,三星在Die这块也关闭了7nm对这边的支持,而且它那个破3nm(60%良率)几乎是为数不多的客户,就是上海的一个做矿机的公司,后面估计也会收到300的限制,不能流片了,所以HBM指着三星也是比较扯,它的HBM也最破。后面就看SMIC的了,它的多重曝光DUV做7nm肯定是可以的,因为TSMC没有EUV之前,就用DUV多重曝光来做7nm的原研,主要是良率和产能,据说SMIC现在铆足劲,产线冒烟了,即使所有制程chip加起来一个月也就80几万片的量,这块属实有点跟不上,还需要别的力量,华虹和晶合啥的都得加油赶上来啊。难肯定明年会更难,但是也估计到了突破和转折的时候[拳头]。至于可能大众最关心的手机芯片其实还好,一般高端的手机chip Die也不会大过100平方毫米,理论上其实用3nm的制程也没事,据说国内某一线大厂已经在TSMC完成了3nm的量产,而且明年下半年就稳定出货了。
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